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華虹無錫集成電路研發和制造基地二期項目開工 總投資67億美元


(資料圖片僅供參考)

2023年6月30日,華虹無錫集成電路研發和制造基地二期項目開工儀式在江蘇無錫舉行,標志著華虹半導體“8 + 12”、先進“特色IC + Power”雙引擎戰略進一步深化,將特色工藝向更先進節點推進。

華虹無錫集成電路研發和制造基地是華虹集團走出上海、布局全國的第一個制造業項目。二期項目由華虹半導體制造(無錫)有限公司承擔,總投資67億美元,將建設一條工藝等級覆蓋65/55-40nm,月產能8.3萬片的12英寸特色工藝生產線。

根據官方披露,項目依托華虹半導體多年積累的全球領先特色工藝技術,聚焦車規級芯片,對非易失性存儲器、電源管理、功率器件等工藝領域進行深入布局和研發,持續提升在新能源汽車、物聯網、新能源、智能終端等領域的應用。

6月28日,華虹半導體(01347)公告顯示,國家集成電路產業基金II簽署認購協議,大基金二期將作為戰略投資者參與認購華虹半導體科創板IPO股份,認購總金達到30億元。


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